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| 一种基于深度学习的产品生成方法 专利 申请日期: 2020-04-17, 公开日期: 2020-04-17 作者: 苏建宁; 李雄; 张志鹏; 白睿昇 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/11/11 |
| 基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法 专利 专利号: 201611068958.X, 申请日期: 2019-10-22, 作者: 刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2021/03/01 |
| 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 专利 专利号: 201610818729.9, 申请日期: 2019-10-22, 作者: 姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2021/03/01 |
| 一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法 专利 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 作者: 徐明升; 王晓敏; 葛磊 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/04 |
| 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器 专利 专利号: CN107123928B, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 应磊莹; 郑志威 收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法 专利 专利号: CN110265875A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 作者: 苏小平; 窦志珍; 曹广亮; 刘留 收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法 专利 专利号: CN110265864A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 作者: 应磊莹; 王灿; 张保平; 许荣彬; 徐欢 收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片 专利 专利号: CN110265867A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 作者: 张雷; 李海东 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法 专利 专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13 作者: 蔡玮; 韩冰; 王新迪 收藏  |  浏览/下载:71/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Reflector, surface emitting laser, method for manufacturing reflector, and method for manufacturing surface emitting laser 专利 专利号: US20190273360A1, 申请日期: 2019-09-05, 公开日期: 2019-09-05 作者: KAWASHIMA, TAKESHI; SATO, SHUNICHI; KAMINISHI, MORIMASA; IWATA, HIROKAZU 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31 |