×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [47]
内容类型
期刊论文 [46]
会议论文 [1]
发表日期
2013 [1]
2011 [5]
2010 [4]
2009 [6]
2008 [5]
2007 [2]
更多...
学科主题
半导体物理 [47]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共47条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Controlling edge state transport in a HgTe topological insulator by superlattice effect
期刊论文
physical review b, 2013, 卷号: 87, 期号: 24, 页码: 5311
L.-Z. Lin, F. Cheng, L. B. Zhang, D. Zhang, and Wen Yang
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2014/03/26
GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure
期刊论文
physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: article no.81402
Zhang LB
;
Cheng F
;
Zhai F
;
Chang K
收藏
  |  
浏览/下载:48/5
  |  
提交时间:2011/07/05
A Programmable Vision Chip Based on Multiple Levels of Parallel Processors
期刊论文
ieee journal of solid-state circuits, 2011, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 2132-2147
Zhang WC
;
Fu QY
;
Wu NJ
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2012/01/06
RECOGNITION SYSTEMS
FEATURE-EXTRACTION
IMAGE
SENSOR
ARCHITECTURE
DESIGN
ARRAY
VLSI
Doping induced spin filtering effect in zigzag graphene nanoribbons with asymmetric edge hydrogenation
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: article no.83109
Kang J
;
Wu FM
;
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:44/4
  |  
提交时间:2011/07/05
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:32/2
  |  
提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Origin of ferromagnetism in self-assembled Ga1-xMnxAs quantum dots grown on Si
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: article no.242505
作者:
Chen L
收藏
  |  
浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2011/07/05
MN
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
ELECTRONICS
(GA,MN)AS
GAAS
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
收藏
  |  
浏览/下载:105/1
  |  
提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
Quantum tunneling through planar p-n junctions in HgTe quantum wells
期刊论文
new journal of physics, 2010, 期号: 12, 页码: art. no. 083058
Zhang LB (Zhang L. B.)
;
Chang K (Chang Kai)
;
Xie XC (Xie X. C.)
;
Buhmann H (Buhmann H.)
;
Molenkamp LW (Molenkamp L. W.)
收藏
  |  
浏览/下载:144/5
  |  
提交时间:2010/09/20
SINGLE DIRAC CONE
TOPOLOGICAL INSULATORS
HALL
SURFACE
STATE
PHASE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace