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| Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material 专利 专利号: US10002763, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2018-06-19 作者: LETERTRE, FABRICE; GHYSELEN, BRUNO; RAYSSAC, OLIVIER 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Electrochemical hydrogenation device comprises planar laminated assembly formed by overlapping following plane, hydrogen dissociation catalyst layer through which when hydrogen is passed, dissociated into hydrogen protons and electrons. 专利 申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-04-17 作者: DAI Y HE G 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/02 |
| Methods for photo-excitation of precursors in epitaxial processes using a rotary scanning unit 专利 专利号: US9499909, 申请日期: 2016-11-22, 公开日期: 2016-11-22 作者: MOFFATT, STEPHEN 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Natural gas storage layer aquo-complex-structure mutual action forecast method, involves calculating use of stress relief method in solving module with stress hydrate reservoirs and structures in hydrate dissociation conditions. 专利 申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-01-06 作者: LI Y LIU Y LIU W SONG Y XU B ZHAO J 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/09 |
| Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch 专利 专利号: US9123527, 申请日期: 2015-09-01, 公开日期: 2015-09-01 作者: MOFFATT, STEPHEN 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Electronic module with fluid dissociation electrodes and methods 专利 专利号: AU2002306686B2, 申请日期: 2004-09-02, 公开日期: 2004-09-16 作者: LANGE, MICHAEL; NEWTON, CHARLES; SNYDER, STEVEN 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 半導体レ-ザの製造方法 专利 专利号: JP1994032335B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27 作者: 井手 雄一 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Manufacture of semiconductor device containing aluminum 专利 专利号: JP1992317320A, 申请日期: 1992-11-09, 公开日期: 1992-11-09 作者: KIYAMII RENII ABAANASUI; UIRIAMU SUKOTSUTO HOBUSON; ANDORIYUU SUCHIIBUN JIYORUDAN; SUCHIIBUN JIYON PIATON; FUAN REN 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| - 专利 专利号: JP1988059553B2, 申请日期: 1988-11-21, 公开日期: 1988-11-21 作者: - 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Manufacture of semiconductor element 专利 专利号: JP1987186525A, 申请日期: 1987-08-14, 公开日期: 1987-08-14 作者: MURAKAMI TOMOKI 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13 |