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科研机构
半导体研究所 [15]
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期刊论文 [12]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2004 [2]
2003 [1]
2001 [4]
2000 [2]
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学科主题
半导体材料 [15]
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学科主题:半导体材料
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The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257
作者:
Liu Xingfang
;
Ning Jin
;
Zhao Yongmei
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
期刊论文
micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480
Luo, XH
;
Wang, RM
;
Zhang, XP
;
Zhang, HZ
;
Yu, DP
;
Luo, MC
收藏
  |  
浏览/下载:145/32
  |  
提交时间:2010/03/09
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
收藏
  |  
浏览/下载:18/1
  |  
提交时间:2010/10/29
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Shen XM
;
Wang YT
;
Zheng XH
;
Zhang BS
;
Chen J
;
Feng G
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:111/0
  |  
提交时间:2010/08/12
buffer layers
x-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
VAPOR-PHASE EPITAXY
NUCLEATION LAYERS
CUBIC GAN
(001)GAAS SUBSTRATE
STRAIN RELAXATION
TEMPERATURE
DEPOSITION
QUALITY
DIODES
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
  |  
浏览/下载:84/11
  |  
提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate
期刊论文
thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Liu SA
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
  |  
浏览/下载:102/13
  |  
提交时间:2010/08/12
gallium nitride
X-ray diffraction
EPITAXY
RATIO
Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Han JY
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:102/12
  |  
提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
HEXAGONAL GAN
CUBIC GAN
GAAS
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
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