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Wavelength conversion member and light emitting device 专利
专利号: US10320147, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者:  TAKAHIRA, YOSHIYUKI;  TAKAHASHI, KOJI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  ANNEN, KAZUNORI;  MAEMURA, YOSUKE
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Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates 专利
专利号: US9209596, 申请日期: 2015-12-08, 公开日期: 2015-12-08
作者:  MCLAURIN, MELVIN;  SZTEIN, ALEXANDER;  HSU, PO SHAN;  RARING, JAMES W.
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Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods 专利
专利号: US20150221832A1, 申请日期: 2015-08-06, 公开日期: 2015-08-06
作者:  LOCHTEFELD, ANTHONY;  MARCHAND, HUGUES
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Laser diodes including substrates having semipolar surface plane orientations and nonpolar cleaved facets 专利
专利号: WO2013181040A1, 申请日期: 2013-12-05, 公开日期: 2013-12-05
作者:  BHAT, RAJARAM;  SIZOV, DMITRY SERGEEVICH;  ZAH, CHUNG-EN
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一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法 专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN103376339B, 申请日期: 2013-10-30, 公开日期: 2015-05-20
作者:  刘连庆;  张嵛;  席宁;  王越超;  董再励
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一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN103376339A, 申请日期: 2013-10-30, 公开日期: 2015-05-20
作者:  刘连庆;  张嵛;  席宁;  王越超;  董再励
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2014/04/03
一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法 专利
申请日期: 2013-10-30, 公开日期: 2015-05-20
作者:  刘连庆;  张嵛;  王越超;  董再励
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2014/04/03
一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法 专利
申请日期: 2013-10-30, 公开日期: 2015-05-20
作者:  刘连庆;  张嵛;  王越超;  董再励
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/07/01
Semiconductor optical integrated device and method for fabricating the same 专利
专利号: US8565279, 申请日期: 2013-10-22, 公开日期: 2013-10-22
作者:  OKUMURA, SHIGEKAZU;  EKAWA, MITSURU;  TOMABECHI, SHUICHI;  UETAKE, AYAHITO
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Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO;  ISHIKAWA, TETSUYA
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