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Method for fabricating a semiconductor laser device using (AlxGa1-x)yIn1-yP semiconductor clad layers 专利
专利号: US5194400, 申请日期: 1993-03-16, 公开日期: 1993-03-16
作者:  TAKAMORI, AKIRA;  IDOTA, KEN;  UCHIYAMA, KIYOSHI;  NAKAJIMA, MASATO
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Laser unit 专利
专利号: JP1991209788A, 申请日期: 1991-09-12, 公开日期: 1991-09-12
作者:  NARITA MASAKI;  WADA SHINICHIRO
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Semiconductor light-emitting device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1991125488A, 公开日期: 1991-05-28
作者:  HOSOI YOJI;  KOBAYASHI MASAO;  TSUBOTA TAKASHI;  KASHIMA YASUMASA
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