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Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 19-23
作者:  Duan Ruifei;  Liu Zhe;  Duan Ruifei;  Wei Tongbo
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:  赵强
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11
Comparison of the properties of GaN grown on complex Si-based structures 期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: art.no.081912
Zhou, SQ; Vantomme, A; Zhang, BS; Yang, H; Wu, MF
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/17
Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564
Lu, Y; Cong, GW; Liu, XL; Lu, DC; Wang, ZG; Wu, MF
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/17
STRESS  
掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562
作者:  朱建军
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
REDUCTION OF CRYSTALLINE DISORDER IN MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAAS ON SI BY MEV ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING 期刊论文
journal of applied physics, 1992, 卷号: 71, 期号: 10, 页码: 4843-4847
XIAO GM; YIN SD; ZHANG JP; DONG AH; ZHU PR; LIU JR
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15
CHANNELING ANALYSIS OF SELF-IMPLANTED AND RECRYSTALLIZED SILICON ON SAPPHIRE 期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1986, 卷号: 15, 期号: 0, 页码: 350-351
FAN RY; YU YH; YIN SD; LIN LY
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/15

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