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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 Gao, X; Li, JM; Sun, GS; Zhang, NH; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：135/48  |  提交时间：2010/03/29 SI(111)  ALN   The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM