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半导体研究所 [89]
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期刊论文 [81]
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发表日期
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A high-speed CMOS image sensor for real-time vision chip
期刊论文
guangxue xuebao/acta optica sinica, 2011, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 828001
Fu, Qiuyu
;
Lin, Qingyu
;
Zhang, Wancheng
;
Wu, Nanjian
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2012/06/14
Analog to digital conversion
CMOS integrated circuits
Differential amplifiers
Digital cameras
Image sensors
Optical data processing
Photodiodes
Pixels
Programmed control systems
Sensors
Signal processing
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.16101
Liu JQ
;
Qiu YX
;
Wang JF
;
Xu K
;
Yang H
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浏览/下载:36/3
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提交时间:2011/07/05
X-RAY-DIFFRACTION
THIN-FILMS
GROWTH
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:110/2
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提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:60/2
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提交时间:2010/08/17
Gallium Nitride
Indium Gallium Nitride
Cathodeluminescence
X-ray Diffraction
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:146/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
FILMS
MISFIT
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
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浏览/下载:216/66
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提交时间:2010/03/08
Scanning electron microscope
Strain
X-ray diffraction
AlInGaN
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153
作者:
Chen L
;
Zhang XH
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/04
Fe thin film
Anisotropic strain relaxation
Magnetic anisotropy
X-ray diffraction
UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY
EPITAXIAL-GROWTH
GAAS(001)
DEVICES
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