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科研机构
半导体研究所 [17]
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期刊论文 [16]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [4]
2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [3]
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学科主题
半导体物理 [17]
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共17条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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A high-speed CMOS image sensor for real-time vision chip
期刊论文
guangxue xuebao/acta optica sinica, 2011, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 828001
Fu, Qiuyu
;
Lin, Qingyu
;
Zhang, Wancheng
;
Wu, Nanjian
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2012/06/14
Analog to digital conversion
CMOS integrated circuits
Differential amplifiers
Digital cameras
Image sensors
Optical data processing
Photodiodes
Pixels
Programmed control systems
Sensors
Signal processing
Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
FILMS
MISFIT
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153
作者:
Chen L
;
Zhang XH
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/04
Fe thin film
Anisotropic strain relaxation
Magnetic anisotropy
X-ray diffraction
UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY
EPITAXIAL-GROWTH
GAAS(001)
DEVICES
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
  |  
提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Wang, YT
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
EPITAXIAL GAN
DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
FILMS
Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique
期刊论文
science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 437-440
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:198/6
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提交时间:2010/08/12
GaN
x-ray diffraction
thickness
SAPPHIRE
GROWTH
FILMS
Content analyses in GaMnAs by double-crystal X-ray diffraction
期刊论文
chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 274-275
Chen NF
;
Xiu HX
;
Yang JL
;
Wu JL
;
Zhong XR
;
Lin LY
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浏览/下载:96/12
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提交时间:2010/08/12
GaMnAs
diluted magnetic semiconductor
X-ray diffraction
lattice parameter
content of Mn
SEMICONDUCTOR
Pressure-induced phase transition of nanocrystalline zinc sulfide
期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2002, 卷号: 25, 期号: 0, 页码: 58-61
Pan YW
;
Qu SC
;
Cui QL
;
Zhang WW
;
Liu XZ
;
Liu J
;
Liu BB
;
Gao CX
;
Zou GT
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/08/12
ZnS : Eu
synchrotron radiation
high pressure
X-ray diffraction
ZNS
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