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Total Ionizing Dose Effects of the Color Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Image Sensor at Different Bias 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2022, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 121-127
作者:  Yang, ZK (Yang, Zhikang) [1] , [2];  Wen, L (Wen, Lin) [1];  Li, YD (Li, Yudong) [1];  Liu, BK (Liu, Bingkai) [1] , [2];  Fu, J (Fu, Jing) [1] , [2]
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/06/21
TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/05/14
Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/09/18
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  王信
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2016/09/27
Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2016, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 1251-1258
作者:  Zhang, JX (Zhang, Jinxin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hongxia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chaohui)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/12/12
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  郑齐文
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2015/06/15
典型运放、比较器的电离和位移损伤的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  姜柯
收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2015/06/15
Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/01/26
电压比较器电离辐射效应及加速评估方法的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  马武英
收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2014/09/02

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