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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 First-principles study of p-type transparent conductive oxides CuXO2 (X=Y, Sc, and Al) 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073527 Shi, LJ; Fang, ZJ; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  DELAFOSSITE STRUCTURE  ELECTRONIC-STRUCTURE  V SEMICONDUCTORS  THIN-FILMS  II-VI  CUSCO2  CUALO2  ENERGY  CUYO2   Optical properties of the E-0+Delta(0) energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217 Bao ZH (Bao Zhi-Hua); Jing WP (Jing Wei-Ping); Luo XD (Luo Xiang-Dong); Tan PH (Tan Ping-Heng) 收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2010/03/29 semi-insulated GaAs   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960 Luo XD; Xu ZY; Ge WK; Pan Z; Li LH; Lin YW 收藏  |  浏览/下载：124/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BAND-GAP ENERGY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  GANXAS1-X  EMISSION  NITROGEN  ALLOYS  SHIFT  GANAS