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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A new damage model for ion implantation simulation with molecular dynamics method 其他 2004-01-01 Wang, R; Yu, M; Zhan, K; Shi, XK; Ji, HH; Zhang, JY; Oka, H 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 ion implantation  simulation  damage model  amorphous pockets  amorphization  SILICON  MORPHOLOGY   Defects in ion implantation and annealing studied by atomistic model 其他 2004-01-01 Yu, M; Wang, R; Ji, HH; Shi, XK; Zhan, K; Wang, YY; Zhang, JY; Oka, H 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 simulation  implantation  annealing  shallow junction  SILICON  SIMULATION   Defects in ion implantation and annealing studied by atomistic model 其他 2004-01-01 Yu, Min; Wang, Rong; Ji, Huihui; Shi, Xiaokang; Zhan, Kai; Wang, Yangyuan; Zhang, Jinyu; Oka, Hideki 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 RBS STUDIES OF THE LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1 MEV SI+ IMPLANTATION INTO AL0.3GA0.7AS/GAAS SUPERLATTICES AT ELEVATED-TEMPERATURE 其他 1994-01-01 XU, TB; ZHU, PR; ZHOU, JS; LI, DQ; GONG, B; WAN, Y; MU, SM; ZHAO, QT; WANG, ZL 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/16 ION-IMPLANTATION  AMORPHIZATION   DAMAGE ACCUMULATION AND AMORPHIZATION IN GAAS BY MEV SI+ ION-IMPLANTATION AT DIFFERENT TILT ANGLES 其他 1994-01-01 ZHAO, QT; WANG, ZL; XU, TB; ZHU, PR; ZHOU, JS 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 TEMPERATURE  CRYSTALS   MEV ION-BEAM INDUCED CRYSTALLIZATION IN HIGH-ENERGY AS+ ION-IMPLANTED SILICON 其他 1991-01-01 WANG, ZL; ZHANG, BX 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 INDUCED EPITAXIAL REGROWTH