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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2804533B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-30
作者:  別所 靖之;  米田 幸司;  吉年 慶一;  山口 隆夫
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Semiconductor laser including disordered window regions 专利
专利号: US5764669, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
作者:  NAGAI, YUTAKA
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超短パルスレーザ光発生装置 专利
专利号: JP2760451B2, 申请日期: 1998-03-20, 公开日期: 1998-05-28
作者:  広瀬 正則
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