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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Numerical and Experimental Investigation of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of 400-V SOI NLDMOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 页码: 710-715 作者:  Shu, Lei;  Wang, Liang;  Zhou, Xin;  Li, Tong-De;  Yuan, Zhang-Yi'an 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 400-V silicon-on-insulator (SOI) n-channel laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (NLDMOSFET)  BVDS variations  laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS)  radiation effects  SOI  technology computer-aided design (TCAD) simulations  total ionizing dose (TID)