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| 一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018
作者: 唐昭焕; 杨发顺; 马奎; 林洁馨; 傅兴华
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| Silicon-on-Nothing (SON)MOSFET及其制造方法 学位论文
2016
作者: 杨雄锟
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| Advanced BCD technology with vertical DMOS based on a semi-insulation structure 期刊论文
2016, 卷号: 0, 期号: 7, 页码: 56-62
作者: Ma K(马奎); Fu XH(傅兴华); Lin JX(林洁馨); Yang FS(杨发顺)
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| 三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法 期刊论文
2016, 卷号: 39, 期号: 24, 页码: 137-140
作者: 林洁馨; 杨发顺; 马奎; 唐昭焕; 傅兴华
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| 浅析超大规模集成电路（VLSI）的电路级设计 期刊论文
2008, 期号: 16, 页码: 38-38
作者: 路庆东; 梁蓓
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| 基于MOSFET放大器原理电磁齿轮控制系统自适应电源的研究 学位论文
2008
作者: 江楠
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| Si亚微米MOSFET Monte carlo模拟中散射机制的研究 期刊论文
2007, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 40-43
作者: 董立亭
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| 考虑量子效应的mosfet器件模型建模及验证 学位论文
2007
作者: 董立亭
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| Si亚微米MOSFET蒙特卡罗模拟中散射机制的研究 期刊论文
2006, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: 48-51
作者: 董立亭
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| 超深亚微米N沟道SI-MOSFET栅介质击穿的蒙特卡罗模拟 学位论文
2004
作者: 李青龙
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