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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.121302 Plumhof JD; Krapek V; Ding F; Jons KD; Hafenbrak R; Klenovsky P; Herklotz A; Dorr K; Michler P; Rastelli A; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05 ENTANGLED PHOTON PAIRS  SEMICONDUCTOR  SPIN   Progress of Microgravity Material Research During the Period of 2007-2009 期刊论文 空间科学学报, 2010, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 504-515 Chen Nuofu; Bai Yiming; Chen Wanghun; Zhou Yanfei; Luo Xinghong; Yu Yude 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/08/16 Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature 会议论文 2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008 Tang, CG; Chen, YH; Liu, Y; Zhang, RQ; Liu, XL; Wang, ZG; Zhang, R; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/03/09 QUANTUM-WELLS  SPIN   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   BREAKING UP OF MISFIT DISLOCATIONS IN GAASIN0.3GA0.7AS/GAAS HETEROSTRUCTURE 期刊论文 applied physics letters, 1995, 卷号: 67, 期号: 6, 页码: 846-847 WU J; LI W; FAN TW; WANG ZG; DUAN XF 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 RELAXATION