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共283条,第1-10条
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发表日期:1996
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重离子碰撞两体关联输运理论──Ⅰ.理论模型:相干态表象的构造与基本运动方程
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 1996, 期号: 11, 页码: 7
作者:
刘建业
;
王顺金
;
李希国
;
刘航
;
左维
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/07/18
输运理论
TDHF方程
两体关联
重离子碰撞
强流离子束传输系统束包络的计算机数值模拟
期刊论文
原子能科学技术, 1996, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 556-560
作者:
姚泽恩
;
朴禹伯
;
苏桐龄
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/07/18
强流离子束
包络
计算机模拟
Envelope
Intense ion beam
Crystal structure, spectral and electrochemical properties of [TBA](2)[Ni(i-MNT)(2)], [TBA][Ni(i-MNT)(2)], [TBA](2)[Ni(i-MNS)(2)] and related bis(1,2-dithiolene) metal complexes
期刊论文
SYNTHETIC METALS, 1996, 卷号: 83, 期号: 2, 页码: 131-140
作者:
Liu, SG
;
Liu, YQ
;
Li, YF
;
Zhu, DB
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/09
Bisdithiolene Metal Complex
Crystal Structure
Cyclic Voltammetry
Spectra
Conductivity
Interatomic potentials for NiAl alloy and the calculation of point defects properties
期刊论文
Science in China(Series E:Technological Sciences), 1996, 期号: 5, 页码: 551-560
-
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/06/24
interatomic potential,point defect,NiAl alloy.
Interatomic potentials for NiAl alloy and the calculation of point defects properties
期刊论文
Science in China(Series E:Technological Sciences), 1996, 期号: 5, 页码: 551-560
作者:
Gu Q(顾强)
;
Wang YX(王月霞)
;
Wang BY(王宝义)
;
Xu GY(徐刚毅)
;
Wang TM(王天民)
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/05/25
interatomic potential,point defect,NiAl alloy.
Moyer模式在高能重离子加速器辐射防护屏蔽设计中的应用
期刊论文
高能物理与核物理, 1996, 期号: 09
朱连芳
;
朱少飞
;
陈学兵
;
苏有武
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2011/09/23
Moyer模式
高能重离子加速器
屏蔽设计
天空反照剂量
共形变换与自对偶场的辛结构
期刊论文
高能物理与核物理/Kao Neng Wu Li Yu Ho Wu Li/High Energy Physics and Nuclear Physics, 1996, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 789-793
作者:
杨孔庆
;
罗焱
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
低维场论
辛几何
共形不变性
在中能重离子反应中核子的运动特征
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 1996, 期号: 9, 页码: 8
作者:
李君清
;
袁秀青
;
刘建业
;
朱介鼎
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/07/18
中能重离子反应
规则运动
混沌运动
中等质量碎片
The R-epsilon characteristics of a three-heat-source refrigeration cycle
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/1359-4311(95)00093-3, 1996
Chen, J. C.
;
Wu, C.
;
陈金灿
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
PERFORMANCE
Laserdiode mit einer Schutzschicht auf ihrer lichtemittierenden Endfläche
专利
专利号: DE69118482T2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-08-22
作者:
AMANO AKIRA,JP
;
NAKATA KATSUE,JP
;
SHINDO YOICHI,JP
;
SUGANUMA NOBUTAKA,JP
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/23
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