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~(65)Se半衰期的测定 期刊论文
中国核科技报告, 1996, 期号: S1
徐晓冀; 黄文学; 马瑞昌
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可活化碳-13示踪技术 期刊论文
中国核科技报告, 1996, 期号: S1
张维成; 彭秀茹; 王育华
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/09/23
Light emitting devices based on interband transitions in type-II quantum well heterostructures 专利
专利号: US5588015, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24
作者:  YANG, RUI Q.
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of making surface emission type semiconductor laser 专利
专利号: US5587335, 申请日期: 1996-12-24, 公开日期: 1996-12-24
作者:  MORI, KATSUMI;  ASAKA, TATSUYA;  IWANO, HIDEAKI;  KONDO, TAKAYUKI
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
重离子反应中核子前平衡发射的同位旋效应 期刊论文
高能物理与核物理, 1996, 期号: 12
陈列文; 张晓东; 葛凌霄
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/09/23
The spectral flattening of the low-energy component in gamma-ray bursts 期刊论文
MONTHLY NOTICES OF THE ROYAL ASTRONOMICAL SOCIETY, 1996, 卷号: 283, 期号: 4, 页码: L133-L137
作者:  Cheng, KS;  Wei, DM
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/02/05
Photoluminescence studies on the interaction of near-surface gaas/alxga1-xas quantum wells with chemical adsorbates 期刊论文
Journal of photochemistry and photobiology a-chemistry, 1996, 卷号: 101, 期号: 2-3, 页码: 113-117
作者:  Liu, Y;  Xiao, XR;  Li, XP;  Xu, ZY;  Yuan, ZL
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12
半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP2586536B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05
作者:  藤家 和彦
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/23
Apparatus for coupling a multiple emitter laser diode to a multimode optical fiber 专利
专利号: US5579422, 申请日期: 1996-11-26, 公开日期: 1996-11-26
作者:  HEAD, DAVID F.;  BAER, THOMAS M.
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Pressure dependence of the electronic subband structure of strained in0.2ga0.8as/gaas mqws 期刊论文
Physica status solidi b-basic solid state physics, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335
作者:  Li, GH;  Goni, AR;  Syassen, K;  Hou, HQ;  Feng, W
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12

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