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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：合肥物质科学研究院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Novel carboxymethyl chitosan/N-acetylneuraminic acid hydrogel for the protection of Pediococcus pentosaceus 期刊论文 RESEARCH INTERNATIONAL, 2022 作者:  Ge YF(葛远飞);  Wu JY(吴金勇);  Pang M(庞敏);  Hu D(胡丹);  Li ZK(李忠奎) 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/11/16 排球机器人开放式控制系统的设计 期刊论文 自动化与仪表, 2008, 期号: 6 李振飞; 朱曼; 姜艳华; 葛运建 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2009/10/19 巨磁阻磁传感器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: cn101212017, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10 李新化; 邱凯; 尹志军; 钟飞; 姬长建; 陈家荣; 王玉琦; 林新华; 陈池来; 高理升 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2009/11/10 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文 半导体学报, 2007, 期号: 8 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2009/10/20 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 028 作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/11/25 调制中断  表面形貌  GaN薄膜   氮化镓薄膜材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: cn1865192, 申请日期: 2006-01-01, 公开日期: 2009-11-09, 2009-11-09 解新建; 王玉琦; 钟飞; 姬长建; 尹志军; 邱凯; 李新化 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2009/11/09