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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [15]
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2013 [3]
2012 [1]
2009 [1]
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Coupling and single-photon purity of a quantum dot-cavity system studied using hydrostatic pressure
期刊论文
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 1, 页码: 014304
P. Y. Zhou
;
X. F. Wu
;
K. Ding
;
X. M. Dou
;
G. W. Zha
;
H. Q. Ni
;
Z. C. Niu
;
H. J. Zhu
;
D. S. Jiang
;
C. L. Zhao
;
B. Q. Sun
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/03/29
In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically δ-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 8, 页码: 083504- 083504-5
J. L. Yu, Y. H. Chen, X. Bo, C. Y. Jiang, X. L. Ye, S. J. Wu, H. S. Gao
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/02/12
Raman spectroscopy of shear and layer breathing modes in multilayer MoS2
期刊论文
physical review b, 2013, 卷号: 87, 期号: 11, 页码: 115413
Zhang, X.
;
Han, W. P.
;
Wu, J. B.
;
Milana, S.
;
Lu, Y.
;
Li, Q. Q.
;
Ferrari, A. C.
;
Tan, P. H.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically delta-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 8, 页码: 083504
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Bo, X.
;
Jiang, C. Y.
;
Ye, X. L.
;
Wu, S. J.
;
Gao, H. S.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/17
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Fan YM (Fan, Y. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/20
Long-wavelength emission inas quantum dots grown on ingaas metamorphic buffers
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336
作者:
Wu, B. P.
;
Wu, D. H.
;
Xiong, Y. H.
;
Huang, S. S.
;
Ni, H. Q.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Inas quantum dots
Metamorphic buffer
Molecular beam epitaxy
Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic ingaas/gaas quantum well laser diodes
期刊论文
Electronics letters, 2008, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 474-u6
作者:
Wu, D.
;
Wang, H.
;
Wu, B.
;
Ni, H.
;
Huang, S.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
1.58 mu m ingaas quantum well laser on gaas
期刊论文
Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 22, 页码: 3
作者:
Tangring, I.
;
Ni, H. Q.
;
Wu, B. P.
;
Wu, D. H.
;
Xiong, Y. H.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Combined structure of zno vertical well-aligned nanorods and net-like structures on ain/sapphire
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 306, 期号: 1, 页码: 12-15
作者:
Wei, H. Y.
;
Cong, G. W.
;
Zhang, P. F.
;
Hu, W. G.
;
Wu, J. J.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructure
Omvpe
Semiconducting ii-vi materials
Optimization of gainnas(sb)/gaas quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 125-128
作者:
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
;
Fang, Z. D.
;
Huang, S. S.
;
Zhang, S. Y.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum wells
Laser
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