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Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:
Yang, J.
;
Wang, B. B.
;
Zhao, D. G.
;
Liu, Z. S.
;
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhang, Y. H.
;
Zhang, Z. Z.
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提交时间:2022/03/24
High Performance InP-Based Polarization Beam Splitter With Reverse Bias and Injection Current
期刊论文
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 38, 期号: 8, 页码: 2336-2345
作者:
Xiangyang Dai
;
Quanan Chen
;
Gongyuan Zhao
;
Yuanyuan Liu
;
Qiaoyin Lu
;
John F. Donegan
;
Weihua Guo
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2021/06/28
Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
L. Sang
;
Y.X. Niu
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2021/11/26
Suppression the formation of V-pits in InGaN/ GaN multi-quantum well growth and its effect on the performance of GaN based laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 卷号: 822, 页码: 153571
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
F. Liang
;
S.T. Liu
;
Y. Xing
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2021/06/17
Improving the performance of optical antenna for optical phased arrays through high- contrast grating structure on SOI substrate
期刊论文
Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 2703-2712
作者:
P. F. WANG
;
G. Z. LUO
;
H. Y. YU
;
Y. J. LI
;
M. Q. WANG
;
X. L. ZHOU
;
W. X. CHEN
;
Y. J. ZHANG
;
, J. Q. PAN
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/07/31
Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
Y.W. He
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/07/31
Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4
作者:
G.G. Yan
;
X.F. Liu
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
F. Zhang
;
X.H. Zhang
;
X.G. Li
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
;
Z.G. Wang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/08/04
Enhancing the performance of GaN based LDs by using low In content InGaN instead of GaN as lower waveguide layer
期刊论文
Optics and Laser Technology, 2019, 卷号: 111, 页码: 810-813
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
F. Liang
;
W. Liu
;
S.T. Liu
;
M. Li
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/07/31
Effect of Mg doping concentration of electron blocking layer on the performance of GaN‑based laser diodes
期刊论文
Applied Physics B, 2019, 卷号: 125, 页码: 235
作者:
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
F. Liang
;
S. T. Liu
;
Y. Xing
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/07/31
The compensation role of deep defects in the electric properties of lightly Si-doped GaN
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 773, 页码: 1182-1186
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Q. Zhang
;
M. Li
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/07/31
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