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| Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文
Chinese physics B, 2018
作者: Bi JS(毕津顺) ; Xi K(习凯); Li B(李博); Wang HB(王海滨); Ji LL(季兰龙)
  收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者: Wang YR(王艳蓉); Xiang JJ(项金娟); Yang H(杨红); Jing Zhang; Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：40/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者: Wang YR(王艳蓉); Xiang JJ(项金娟); Yang H(杨红); Zhang J(张静); Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者: Wang YR(王艳蓉); Xiang JJ(项金娟); Yang H(杨红); Zhang J(张静); Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2018
作者: Xu YN(徐彦楠); Bi JS(毕津顺); Xu GB(许高博); Li B(李博); Xi K(习凯)
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| 18.88%-efficient multi-crystalline silicon solar cells by combining Cu-catalyzed chemical etching and post-treatment process 期刊论文
solar energy, 2018
作者: Tao K(陶科); Wang P(王平); Shaoqing Xiao; Jia R(贾锐); Sun HC(孙恒超)
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si0.45Ge0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node 期刊论文
Journal of the Electron Devices Society, 2018
作者: Gu J(顾杰); Wen Yang; Wu ZH(吴振华); Yin HX(殷华湘); Wang WW(王文武)
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2019/05/05 |
| Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2018
作者: Wang WW(王文武); Zheng YK(郑英奎); Jiang HJ(蒋浩杰); Wei K(魏珂); Wang XH(王鑫华)
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者: Zheng YK(郑英奎); Liu GG(刘果果); Chen XJ(陈晓娟); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge 期刊论文
CHIN. PHYS. LETT., 2018
作者: Bi JS(毕津顺); Xu YN(徐彦楠); Li B(李博); Xi K(习凯); Wang HB(王海滨)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/04/12 |
