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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors 会议论文 作者:  Kuang Y(匡勇);  Bu JH(卜建辉);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Liang CP(梁春平) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/10 A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 会议论文 作者:  Bu JH(卜建辉);  Li DL(李多力);  Xu GB(许高博);  Cai XW(蔡小五);  Kuang Y(匡勇) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/28 A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI 会议论文 作者:  Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉);  Li Y(李莹);  Han ZS(韩郑生) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/05/19 Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI 会议论文 作者:  Li Y(李莹);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/05/19 Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices 期刊论文 Chinese Physics B, 2016 作者:  Li BH(李彬鸿);  Luo JJ(罗家俊);  Li B(李博);  Bi JS(毕津顺);  Bu JH(卜建辉) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/08 Damage free removal of nano-particles with DUAL-FLUID spray nozzle cleaning 会议论文 作者:  He XB(贺晓彬);  Li JJ(李俊杰);  Han JH(韩江浩);  Jiang QF(姜齐风);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/19 A Simulation Model for PDSOI MOSFETs 会议论文 作者:  Li Y(李莹);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生);  Bu JH(卜建辉) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/05/07 The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 034008-1 作者:  Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉);  Li SZ(李书振);  Han ZS(韩郑生) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/04/10