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	Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
	Li B(李博); Huang YB(黄云波); L.Yang; Zhang QZ(张青竹); Zheng ZS(郑中山); Li BH(李彬鸿); Zhu HP(朱慧平); Bu JH(卜建辉); H.X.Yin; Luo JJ(罗家俊)
	2018-10-01
语种	英语
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19125]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Li B,Huang YB,L.Yang,et al. Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs[C]. 见:.

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