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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种静态随机存取存储器时序控制电路 专利 专利号: CN201410115159.8, 申请日期: 2017-04-05, 公开日期: 2014-06-25 作者:  刘明;  曹华敏;  霍宗亮 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/01/31 一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路 专利 专利号: CN201410314388.2, 申请日期: 2016-02-10, 公开日期: 2014-09-17 作者:  李婷;  霍宗亮;  刘明;  王瑜;  曹华敏 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/05/24 三维存储器的参考电流产生电路及其产生参考电流的方法 专利 专利号: CN201410147918.9, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2014-07-30 作者:  李婷;  王瑜;  曹华敏;  刘明;  霍宗亮 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/10/26 A write buffer design based on stable and area-saving embedded SRAM for flash applications 期刊论文 Technological Sciences, 2015 作者:  Liu M(刘明);  Huo ZL(霍宗亮);  Cao HM(曹华敏) 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/06/03 高线密度X射线透射光栅的制作工艺 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 5,2006_2010 作者:  陈宝钦;  叶甜春;  赵珉;  姜骥;  张庆钊 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 电子束光刻  透射光栅  X射线光刻  X射线衍射光学元件   部分耗尽0．25μm SOI射频nMOSFET 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1061-1065 作者:  赵玉印;  李俊峰;  杨荣;  柴淑敏;  刘明 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 结构  工艺  仿真  实验  射频  Soi