三维存储器的参考电流产生电路及其产生参考电流的方法 | |
李婷; 王瑜; 曹华敏; 刘明; 霍宗亮; 刘璟 | |
2015-09-09 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201410147918.9 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种面向三维存储器的零温度系数参考电流产生电路,该参考电流产生电路包括电压产生模块和电流产生模块,其中:电压产生模块用来产生温度系数和电压值均可调的第二电压V2;电流产生模块用来产生零温度系数的电流Iref,其中,电流产生模块由两个均工作在饱和区的NMOS晶体管并联而成,电压产生模块产生的第二电压V2同时连接于两个NMOS晶体管的栅端,其中一个NMOS晶体管在第二电压V2的作用下产生正温度系数的电流,另一个NMOS晶体管在第二电压V2的作用下产生负温度系数的电流,通过正温度系数的电流与负温度系数的电流的组合,电流产生模块输出零温度系数的电流Iref。本发明还公开了一种面向三维存储器的产生零温度系数参考电流的方法。 |
公开日期 | 2014-07-30 |
申请日期 | 2014-04-14 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16056] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李婷,王瑜,曹华敏,等. 三维存储器的参考电流产生电路及其产生参考电流的方法. CN201410147918.9. 2015-09-09. |
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