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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In situ fabrication of Al surface plasmon nanoparticles by metal-organic chemical vapor deposition for enhanced performance of AlGaN deep ultraviolet detectors 期刊论文 Nanoscale Advances, 2020, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 1854-1858 作者:  Y. Wu,X. J. Sun,Z. M. Shi,Y. P. Jia,K. Jiang,J. W. Ben,C. H. Kai,Y. Wang,W. Lu and D. B. Li 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06 Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文 Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6 作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06 Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 6 作者:  Li, DaBing;  Li, XiaoHang;  Liu, HeNan;  Wang, Yong;  Wu, You 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/05/22 pit defects  surface potential  electron concentration   Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14, 期号: 1 作者:  Li,Dabing;  Feng,Zhe Chuan;  Luo,Xuguang;  Wang,Yong;  Kai,Cuihong 收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2019/08/21 Refractive index  AlN  Threading dislocation density  Nanoscale strain field around dislocations   Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文 Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873 作者:  K.Jiang;  X.J.Sun;  J.W.Ben;  Z.M.Shi;  Y.P.Jia 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/24 potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion   The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728 作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography   Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文 Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629 作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography   Fabrication of a novel type liquid crystal phase zone plate 会议论文 1998 Ren H. W.; Huang X. M.; Ling Z. H.; Wu S.; Kai M. A. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/28