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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2015 作者:  Zhang MY(张美芸);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林);  Lv HB(吕杭炳) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/24 Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation 期刊论文 Appl. Phys. Lett., 2015 作者:  Xu DL(许定林);  Wang GM(王国明);  Long SB(龙世兵);  Yu ZA(余兆安);  Zhang MY(张美芸) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/05/24 Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2015 作者:  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Liu HT(刘红涛);  Luo Q(罗庆);  Gong TC(龚天成) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/24 Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2015 作者:  Wang GM(王国明);  Long SB(龙世兵);  Yu ZA(余兆安);  Zhang MY(张美芸);  Li Y(李阳) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/05/24 Set statistics in conductive bridge random access memory device 期刊论文 Applied Physics Letters, 2014 作者:  Li Y(李阳);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/04/14 An overview of the switching parameter variation of RRAM 期刊论文 Chin. Sci. Bull., 2014 作者:  Wang GM(王国明);  Sun PX(孙鹏霄);  Sun HT(孙海涛);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/04/14