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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [18]
会议论文 [1]
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专题:半导体研究所
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Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
Rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Liang Jiran
;
Hu Ming
;
Kan Qiang
;
Liang Xiuqin
;
Wang Xiaodong
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Vanadium dioxide
Infrared transition
Diffraction effect
Dual ion beam sputtering
Annealing
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
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浏览/下载:74/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Temperature dependence of effective g factor in diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 5, 页码: art. no. 053901
Zhou, R
;
Sun, BQ
;
Ruan, XZ
;
Luo, HH
;
Ji, Y
;
Wang, WZ
;
Zhang, F
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:51/2
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提交时间:2010/03/08
GAAS
HETEROSTRUCTURES
ALLOYS
High speed silicon optical switches based on carrier depletion - art. no. 67812D
会议论文
conference on passive components and fiber-based devices iv, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2007
作者:
Li ZY
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/03/09
optical switches
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Mg memory effect
redistribution
AlGaN/GaN HBTs
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
FABRICATION
Investigation of thermal distribution of ga in sio2/si structure
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 275-278
作者:
Pei, SH
;
Sun, HB
;
Xiu, XW
;
Zhang, XH
;
Jiang, YQ
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Ga
Sio2/si structure
Concentration distribution
Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:304/5
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提交时间:2010/04/11
crystal structure
magnetron sputtering
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS1-XSBX
ALLOYS
INASSB
INSB
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
journal of electronic materials, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: l53-l56
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
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浏览/下载:193/29
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提交时间:2010/03/17
silicon-on-insulator (SOI)
Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603
Zhang EX
;
Yi WB
;
Liu XH
;
Chen M
;
Liu ZL
;
Xi W
收藏
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浏览/下载:379/54
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提交时间:2010/03/09
IMPLANTATION
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