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半导体研究所 [25]
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期刊论文 [25]
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专题:半导体研究所
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A discussion on mass resolution in secondary ion mass spectrometry
期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2020, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 249-255
作者:
Zhanping Li
;
Lixia Zhao
;
Bing Xiong
;
Runlong Fan
;
Dunyi Liu
;
Liangzhen Cha
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/12/20
Infrared response of the lateral pin structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 4
作者:
Ma Zhi-Hua
;
Cao Quan
;
Zuo Yu-Hua
;
Zheng Jun
;
Xue Chun-Lai
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/05/12
Infrared response
Ion implantation
Rapid thermal annealing
Intermediate band solar cell
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Tang Hai-Ma
;
Zheng Zhong-Shan
;
Zhang En-Xia
;
Yu Fang
;
Li Ning
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Separation by oxygen implantation
Buried oxide
Nitrogen implantation
Positive charge density
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Resonant subband Landau level coupling in symmetric quantum well
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083502
Tung LC (Tung L. -C.)
;
Wu XG (Wu X. -G.)
;
Pfeiffer LN (Pfeiffer L. N.)
;
West KW (West K. W.)
;
Wang YJ (Wang Y. -J.)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/12/05
TILTED MAGNETIC-FIELDS
ELECTRON-GAS
DEPOLARIZATION SHIFT
CYCLOTRON-RESONANCE
MATRIX-ELEMENTS
HETEROJUNCTIONS
SPECTROSCOPY
TECHNOLOGY
ABSORPTION
SYSTEMS
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in inn films
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: 5
作者:
Wang, H.
;
Jiang, D. S.
;
Wang, L. L.
;
Sun, X.
;
Liu, W. B.
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Metalorganic chemical vapor deposition of ganas alloys using different ga precursors
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522
作者:
Wei, X
;
Wang, GH
;
Zhang, GZ
;
Zhu, XP
;
Ma, XY
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
High resolution x-ray diffraction
Precursor
Metalorganic chemical vapor depositions
Gallium compounds
Metalorganic Chemical Vapor Deposition of GaNAs Alloy Using Dimethylhydrazine as Nitrogen Precursor
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 565-570
作者:
Wei Xin
;
Chen Lianghui
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Study on pollution for the photoelectronic material InP
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2002, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 550-551
Xu JC
;
Ding XP
;
Chen DQ
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
mass spectrum analysis
photoluminescence
electron concentration
electron mobility
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