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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Cathodoluminescence of yellow and blue luminescence in undoped semi-insulating gan and n-gan 期刊论文 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Hou Qi-Feng;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei;  Yang Cui-Bai 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102 Hou QF; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yang CB; Yin HB; Li JM; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：40/4  |  提交时间：2011/07/05 EPITAXIAL LAYERS  PHOTOLUMINESCENCE  ABSORPTION  CARBON  BAND   Optical properties of inn rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141 作者:  Sun, Yuanping;  Cho, Yong-Hoon;  Dai, Zhenhong;  Wang, Weitian;  Wang, Hui 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2011/07/05 BAND-GAP  INDIUM NITRIDE  TRANSPORT  EMISSION   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Hrxrd  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Semipolar   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION