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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110) 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.125 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：36/1  |  提交时间：2011/07/05 MAGNETIC-PROPERTIES  GAAS(001)  FILMS  ORDER  NANOCLUSTERS  EPITAXY   Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of mnas epilayer grown on gaas (110) 期刊论文 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7 作者:  Xu, Pengfa;  Lu, Jun;  Chen, Lin;  Yan, Shuai;  Meng, Haijuan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650 作者:  Wang Yutian 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Effect of the ratio of tmin flow to group iii flow on the properties of ingan/gan multiple quantum wells 期刊论文 Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 作者:  Zhang, JC;  Wang, JF;  Wang, YT;  Hui, Y 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Triple-axis x-ray diffraction  Interface roughness  Dislocation density  Ingan/gan multiple quantum wells   Effect of the ratio of TMIn flow to group III flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 Zhang, JC; Wang, JF; Wang, YT; Hui, Y 收藏  |  浏览/下载：140/36  |  提交时间：2010/03/09 triple-axis x-ray diffraction   Investigation of {111}a and {111} planes of c-gan epilayers grown on gaas(001) by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Gallium compounds   Microtwins and twin inclusions in the 3c-sic epilayers grown on si(001) by apcvd 期刊论文 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 3c-sic  Microtwins  X-ray four-circle diffractometer  Apcvd   Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：95/12  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  microtwins  X-ray four-circle diffractometer  APCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE  PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GAN  SI  SUBSTRATE  DEFECTS  NITRIDE  MBE   Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：103/12  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  GAAS