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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412 Song SF; Chen WD; Xu ZJ; Xu XR 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Er  Pr-implautation  deep level transient spectroscopy  N-TYPE GAN  DEFECTS  EPITAXY  TRAPS   Enhancement of 1.53 mu m photoluminescence from spin-coated Er-Si-O (Er2SiO5) crystalline films by nitrogen plasma treatment 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 178-182 Wang XX; Zhang JG; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  spin-coating  rare earth compounds  MU-M  SILICON  ERBIUM  ZNO