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半导体研究所 [13]
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期刊论文 [11]
会议论文 [2]
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Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
  |  
提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Magnetic coupling properties of mn-doped ZnO nanowires: First-principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 073903
Shi, H
;
Duan, Y
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浏览/下载:44/2
  |  
提交时间:2010/03/08
HIGH CURIE-TEMPERATURE
SPINODAL-DECOMPOSITION
ROOM-TEMPERATURE
1ST PRINCIPLES
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
FERROMAGNETISM
STABILIZATION
GROWTH
PHASE
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:
Xu B
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浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/04/11
stress
surface structure
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN
THICKNESS
Effect of fabrication conditions on i-v properties for zno varistor with high concentration additives by sol-gel technique
期刊论文
Current applied physics, 2005, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 381-386
作者:
Zhang, JC
;
Cao, SX
;
Zhang, RY
;
Yu, LM
;
Jing, C
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Zno nonlinear varistor
Sol-gel method
Threshold voltage
The sintering characteristics
Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321
作者:
Ye XL
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浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
EXCITON LOCALIZATION
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
POLARIZATION
SEGREGATION
MORPHOLOGY
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:92/4
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:85/11
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
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