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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5 作者:  Fu, D.;  Zhang, R.;  Liu, B.;  Xie, Z. L.;  Xiu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling, and Stability 期刊论文 journal of the american chemical society, 2011, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 5941-5946 作者:  Liu J;  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：91/4  |  提交时间：2011/07/05 FERRIC-CHLORIDE  CHARGE-TRANSFER  SINGLE-LAYER  GRAPHENE  SPECTROSCOPY  SCATTERING  SPECTRA   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：35/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Localized flexible integration of high-efficiency surface enhanced raman scattering (sers) monitors into microfluidic channels 期刊论文 Lab on a chip, 2011, 卷号: 11, 期号: 19, 页码: 3347-3351 作者:  Xu, Bin-Bin;  Ma, Zhuo-Chen;  Wang, Lei;  Zhang, Ran;  Niu, Li-Gang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Study of microstructure of high stability hydrogenated amorphous silicon films by Raman scattering and infrared absorption spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: 336-338 Sheng SR; Liao XB; Kong GL; Han HX 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 A-SI-H  CRYSTALLINE SILICON  DEPOSITION  SPECTRA  QUALITY   Pressure dependence of the electronic subband structure of strained in0.2ga0.8as/gaas mqws 期刊论文 Physica status solidi b-basic solid state physics, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335 作者:  Li, GH;  Goni, AR;  Syassen, K;  Hou, HQ;  Feng, W 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335 Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/11/17 MULTIPLE QUANTUM-WELLS  HYDROSTATIC-PRESSURE  DEFORMATION POTENTIALS  EXCITON ABSORPTION  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  GAAS   High-pressure study of optical transitions in strained In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 19, 页码: 13820-13826 Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/11/17 HYDROSTATIC-PRESSURE  EXCITON ABSORPTION  DEFORMATION POTENTIALS  LAYER SUPERLATTICES  BAND OFFSET  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  SPECTROSCOPY  DEPENDENCE  TEMPERATURE