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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究 期刊论文
功能材料, 2010, 期号: 07
张波; 陈静; 魏星; 武爱民; 薛忠营; 罗杰馨; 王曦; 张苗
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/01/06
SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
陈超
收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2012/03/06
SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2009
陈超
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截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 期刊论文
半导体学报, 2008, 期号: 10
金智; 程伟; 刘新宇; 徐安怀; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/01/06
新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2008
艾立鹍
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基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文) 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 02
于进勇; 刘新宇; 苏树兵; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2012/01/06
Relaxed SiGe-on-insulator with high Ge fraction obtained by oxidation of SiGe/Si-on-insulator with hydrogen ions implantation 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 卷号: 253, 期号: 10, 页码: 4472-4476
Cheng, XL; Liu, H; Zhang, F
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/03/24
InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2007
林玲  
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InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展 期刊论文
材料导报, 2006, 期号: 12
林玲; 徐安怀; 孙晓玮; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/01/06
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究 会议论文
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006
齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 孙浩; 朱福英
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/01/18


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