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| 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究 期刊论文 功能材料, 2010, 期号: 07 张波; 陈静; 魏星; 武爱民; 薛忠营; 罗杰馨; 王曦; 张苗 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/01/06
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| SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2012/03/06
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| SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/03/06
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| 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 期刊论文 半导体学报, 2008, 期号: 10 金智; 程伟; 刘新宇; 徐安怀; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/01/06
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| 新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008 艾立鹍 收藏  |  浏览/下载:96/0  |  提交时间:2012/03/06
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| 基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文) 期刊论文 半导体学报, 2007, 期号: 02 于进勇; 刘新宇; 苏树兵; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2012/01/06
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| Relaxed SiGe-on-insulator with high Ge fraction obtained by oxidation of SiGe/Si-on-insulator with hydrogen ions implantation 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 卷号: 253, 期号: 10, 页码: 4472-4476 Cheng, XL; Liu, H; Zhang, F 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/03/24
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| InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007 林玲 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/03/06
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| InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展 期刊论文 材料导报, 2006, 期号: 12 林玲; 徐安怀; 孙晓玮; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/01/06
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| InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究 会议论文 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 孙浩; 朱福英 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/01/18
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