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科研机构
昆明植物研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2017 [1]
2016 [2]
学科主题
Chemistry,... [1]
Materials ... [1]
Metallurgy... [1]
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Mechanism for an enhanced resistive switching effect of bilayer NiOx/TiO2 for resistive random access memory
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 722, 页码: 753-759
作者:
Zhou,Guangdong
;
Xiao,Lihua
;
Zhang,Shuangju
;
Wu,Bo
;
Liu,Xiaoqin
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/10/23
Electric-field
Devices
Bipolar
Films
Heterostructures
Transition
Behaviors
Filament
Matrix
Cells
Bilay Niox/tio2 Films
Resistive Switching Memory
Migration Of Oxygen Vacancy
Ag Conduction Filamens
Current-voltage hysteresis of the composite MoS2-MoOx <= 3 nanobelts for data storage
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 页码: 47-53
作者:
Zhou, Guangdong
;
Zhao, Wenxi
;
Ma, Xiaoqing
;
Zhou, A. K.
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浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2016/08/22
Data storage
Current-voltage hysteresis
Switching resistance memory
Ag filament
Resistance switching characteristics of coreeshell gamma-Fe2O3/Ni2O3 nanoparticles in HfSiO matrix
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 678, 页码: 31-35
作者:
Zhou,Guangdong
;
Wu,Bo
;
Liu,Xiaoqin
;
Li,Zhiling
;
Zhang,Shuangju
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2017/07/11
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