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| 包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US10128244, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2017-05-11
作者: 朱慧珑 ; 魏星
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| 半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备 专利
专利号: US10115641, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-04-05
作者: 朱慧珑
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| 一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者: 王桂磊; 李俊峰; 刘金彪; 赵超
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| A Highly Sensitive SERS Device Based on a PDMS-CVD Prepared Substrate 期刊论文
IEEE, 2018
作者: Xiong JJ(熊继军); Li RR(李锐锐); Mao HY(毛海央); Chen Guidong; Wang WB(王玮冰)
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| 一种金属硅化物的形成方法 专利
专利号: US10096691, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2016-09-15
作者: 张青竹; 赵利川; 杨雄坤; 殷华湘; 闫江
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| Integral Equation Prediction of the Structure of Alternating Copolymer Nanocomposites near a Substrate 期刊论文
Langmuir, 2018
作者: Chen L(陈岚); Xu QZ(徐勤志); Yang F(杨飞); Cao H(曹鹤)
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| Effect of concentration on the position of uorescence peak based on blacksilicon SERS substrate 期刊论文
Applied surface science, 2018
作者: Yuan Y(远雁); Li CB(李超波); Liu LH(刘丽花); Cui SH(崔绍晖); Fu TZ(符庭钊)
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| 一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者: 王鑫华; 刘新宇; 黄森; 赵超; 王文武
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| Electrical Research of Silicon Substrate Packaging Technology Based on the Cavity 会议论文
作者: Lian Zheng; Zhao M(赵慢); Liu FM(刘丰满); Sun Y(孙瑜); Ma PC(马鹏程)
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| 具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US10043909, 申请日期: 2018-08-07, 公开日期: 2017-06-08
作者: 朱慧珑
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