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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：光电技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photocarrier Radiometry Investigation of Light-Induced Degradation of Boron-Doped Czochralski-Grown Silicon Without Surface Passivation 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2016, 卷号: 37, 期号: 4 作者:  Wang, Qian;  Li, Bincheng 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/06/27 B-O defect  Light-induced degradation  Photocarrier radiometry  Silicon  Surface state   Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2after high temperature oxidation 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36, 期号: 9 作者:  Li, Yanyue;  Deng, Xiaochuan;  Liu, Yunfeng;  Zhao, Yanli;  Li, Chengzhan 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/11/03 Combined frequency- and time-domain photocarrier radiometry characterization of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5 作者:  Ren Sheng-Dong;  Li Bin-Cheng;  Gao Li-Feng;  Wang Qian 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/04/17 photocarrier radiometry  ion implantation  effective lifetime  silicon   Combined frequency- and time-domain photocarrier radiometry characterization of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers 期刊论文 Chinese Physics B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 057202 作者:  Ren, Sheng-Dong;  Li, Bin-Cheng;  Gao, Li-Feng;  Wang, Qian 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/11/21 Resolution and stability analysis of localized surface plasmon lithography on the geometrical parameters of soft mold 期刊论文 APPLIED OPTICS, 2011, 卷号: 50, 期号: 13, 页码: 1963-1967 作者:  Zhang, Yukun;  Du, Jinglei;  Wei, Xingzhan;  Shi, Lifang;  Deng, Qiling 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/09/21 Resolution and stability analysis of localized surface plasmon lithography on the geometrical parameters of soft mold. 期刊论文 Applied Optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 13, 页码: 1963-1967 作者:  Yukun Zhang;  JinglEi Du;  Xingzhan WEi;  Lifang Shi;  Qiling Deng 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/11/03