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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  王信 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2016/09/27 60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  武大猷 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/09/27 电荷耦合器件  60Co-γ辐照  电子辐照  辐射损伤  低剂量率损伤增强效应   静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  郑齐文 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2015/06/15 大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法   Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10 作者:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Yu, XF (Yu Xue-Feng) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/09/21 Total Dose Irradiation  Static Random Access Memory  Functional Failure Mode   微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射损伤机理及评估方法研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者:  丛忠超 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/09/02 SRAM  测试系统  辐照偏置  静态功耗电流  失效模式   高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者:  吴雪 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2014/08/05 深亚微米  高速模数/数模转换器  辐照偏置条件  总剂量效应  单粒子效应  加速评估方法   混合工艺数模转换器总剂量效应研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013 作者:  王信 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/06/05 数模转换器  总剂量效应  BiCMOS CBCMOS LC2MOS 偏置  剂量率效应