QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Surface Passivation and Interface Properties of Bulk GaAs and Epitaxial-GaAs/Ge Using Atomic Layer Deposited TiAlO Alloy Dielectric 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 949-957 作者:  Dong, JR(董建荣) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/15 IIII-V surface passivation  atomic layer deposition  hysteresis voltage  TiAlO alloy dielectric  epi-GaAs/Ge  effective dielectric constant  elemental out-diffusion  GaAs MOS   Analysis of surface roughness in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contact to AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 Applied Physics Letters, 2010, 期号: 6 作者:  Zhang BS (张宝顺);  Cai Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：206/64  |  提交时间：2010/12/31 aggregation  aluminium  aluminium compounds  gallium compounds  gold  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  nickel  ohmic contacts  rapid thermal annealing  semiconductor-metal boundaries  surface morphology  surface roughness  titanium  transmission electron microscopy  wide band gap semiconductors  X-ray chemical analysis