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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Grain boundary resistivities of polycrystalline Au films 期刊论文 EPL, 2011, 卷号: 96, 期号: 1 Zhang, X; Song, XH; Zhang, XG; Zhang, DL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 GOLD-FILMS  ELECTRICAL-RESISTIVITY  CONDUCTIVITY  TEMPERATURE  RESISTANCE  METALS  SIZE   Formation of large-scale structures in ablative Kelvin-Helmholtz instability 期刊论文 PHYSICS OF PLASMAS, 2010, 卷号: 17, 期号: 12 Wang, LF; Ye, WH; Don, WS; Sheng, ZM; Li, YJ; He, XT 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 LASER-PRODUCED PLASMAS  ASTROPHYSICAL JETS  LABORATORY ASTROPHYSICS  MAGNETOTAIL BOUNDARY  GEOTAIL OBSERVATIONS  INTENSE LASERS  MIXING LAYER  SOLAR-WIND  SCHEMES  TRANSPORT   Light-induced changes in diphasic nanocrystalline silicon films and solar cells 期刊论文 JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1904 Hao, HY; Liao, XB; Zeng, XB; Diao, HW; Xu, Y; Kong, GL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/18 OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  AMORPHOUS-SILICON  RAMAN-SPECTROSCOPY  STABILITY   Thermal stability of cubic GaN film grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(001) 期刊论文 PHYSICS LETTERS A, 2002, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: 79 Xu, M; Liu, CX; Liu, HF; Luo, GM; Chen, XM; Yu, WX; Cui, SF; Li, JH; Chen, H; Mai, ZH; Zhou, JM; Jia, QJ; Zheng, WL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/23 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  RAMAN-SPECTROSCOPY  PHASE EPITAXY  LASER-DIODES  GAAS  CONDUCTIVITY  PHONONS   One-dimensional growth mechanism of amorphous boron nanowires 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 359, 期号: 3-4, 页码: 273 Wang, YQ; Duan, XF; Cao, LM; Wang, WK 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/24 SILICON NANOWIRES  LASER-ABLATION  WIRES   The stability and catastrophe of diffusion processes of plasma boundary layer 期刊论文 SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY, 1996, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 430 Wang, XM; Cao, SD; Chen, YP 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/23