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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The self-compensation effect of heavily Mg doped p-GaN films studied by SIMS and photoluminescence 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 133, 页码: 106177 作者:  H.R. Qi ;   S. Zhang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   M. Zhou ;   Z.W. He ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/07/31 Effects of photo generated carriers in GaN layers on the photoluminescence characteristics of violet light-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 Materials Research Express, 2019, 卷号: 6, 页码: 076203 作者:  Wei Liu ;  Feng Liang ;  Degang Zhao ;  Jing Yang ;  Desheng Jiang ;  Jianjun Zhu ;   Zongshun Liu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/07/31 Carrier Redistribution Between Two Kinds of Localized States in the InGaN/GaN Quantum Wells Studied by Photoluminescence 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 14, 页码: 88 作者:  Yao Xing ;   Degang Zhao ;   Desheng Jiang ;   Zongshun Liu ;   Jianjun Zhu ;   Ping Chen ;   Jing Yang ;   Feng Liang ;   Shuangtao Liu ;   Liqun Zhang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/08/05