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科研机构
微电子研究所 [6]
内容类型
外文期刊 [6]
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2010 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2005 [2]
2002 [1]
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内容类型:外文期刊
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Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device
外文期刊
2010
作者:
Han, K
;
Wang, WW
;
Ma, XL
;
Chen, DP
;
Zhang, J
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/26
Work Function
Gate
Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor
外文期刊
2009
作者:
Toriumi, A
;
Ota, H
;
Nabatame, T
;
Mizubayashi, W
;
Akiyama, K
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Technology
Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs
外文期刊
2007
作者:
Luo, WJ
;
Wei, K
;
Chen, XJ
;
Li, CZ
;
Liu, XY
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/26
Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
外文期刊
2005
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
Effects of techniques of implanting nitrogen into buried oxide on the characteristics of partially depleted SOIPMOSFET
外文期刊
2005
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Scattering
The reactive ion etching of Bi2Ti2O7 thin films on silicon substrates and its image in atomic force microscopy
外文期刊
2002
作者:
Wang, Z
;
Sun, DL
;
Hu, JF
;
Cui, DL
;
Xu, XH
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
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