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西安光学精密机械研... [69]
烟台海岸带研究所 [3]
大连理工大学 [1]
内容类型
专利 [73]
发表日期
2023 [2]
2016 [3]
2007 [2]
2005 [4]
2000 [2]
1999 [2]
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一种场地土壤砷生物有效性预测模型及其构建方法和应用
专利
专利号: 2022113823904, 申请日期: 2023-11-24,
作者:
涂晨
;
刘颖
;
韦婧
;
李远
;
骆永明
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提交时间:2024/01/26
基于D-最优设计的腐殖酸淋洗修复砷镉污染土壤的优化方法
专利
专利号: 2022110007675, 申请日期: 2023-04-07,
作者:
韦婧
;
涂晨
;
邓绍坡
;
袁国栋
;
李远
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提交时间:2024/01/26
Vertical-cavity surface-emitting laser
专利
专利号: WO2016139473A1, 申请日期: 2016-09-09, 公开日期: 2016-09-09
作者:
HAYNE, MANUS
;
HODGSON, PETER DAVID
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor device and fabrication method
专利
专利号: US9401404, 申请日期: 2016-07-26, 公开日期: 2016-07-26
作者:
LIU, HUIYUN
;
SEEDS, ALWYN JOHN
;
POZZI, FRANCESCA
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提交时间:2020/01/18
一种除砷吸附剂-铁铜复合氧化物及其制备方法
专利
专利号: 2011103866159, 申请日期: 2016-05-18,
作者:
张高生
;
任宗明
;
李国亮
;
陈静
;
陈琳琳
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提交时间:2024/01/26
Modified bilge sand rock baking-free brick used as building material, has predetermined weight percentage of volcanic ash activity or potential water hardness of rock, general silicate cement, arsenic sand rock and water.
专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-05-07
作者:
YANG D WANG L ZHANG T
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提交时间:2019/12/11
Semiconductor laser device and method for fabricating the same
专利
专利号: US7402447, 申请日期: 2008-07-22, 公开日期: 2008-07-22
作者:
ONISHI, TOSHIKAZU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser diode with emission efficiency independent of thickness of p-type cladding layer
专利
专利号: US20070258498A1, 申请日期: 2007-11-08, 公开日期: 2007-11-08
作者:
KAWAHARA, TAKAHIKO
;
FURUKAWA, MASATO
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提交时间:2020/01/18
Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed
专利
专利号: US7257143, 申请日期: 2007-08-14, 公开日期: 2007-08-14
作者:
JOHNSON, RALPH H.
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提交时间:2019/12/26
Fabrication method of a semiconductor laser device
专利
专利号: US6933159, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者:
KITO, MASAHIRO
;
ISHINO, MASATO
;
TODA, TOMOAKI
;
NAKANO, YOSHIAKI
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提交时间:2019/12/24
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