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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [14]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2001 [3]
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学科主题
半导体物理 [16]
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共16条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
magnetic semiconductor
magnetic p-n junction
ion beam epitaxy
gadolinium silicides
METAL-INSULATOR-TRANSITION
P-N-JUNCTION
INDUCED FERROMAGNETISM
SI/SIER INTERFACE
BEAM EPITAXY
SEMICONDUCTORS
EXCITATION
MAGNETORESISTANCE
ALLOYS
Oscillating magnetoresistance in diluted magnetic semiconductor barrier structures
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: art.no.115209
Chang K
;
Xia JB
;
Peeters FM
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浏览/下载:204/41
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提交时间:2010/08/12
ELECTRICAL SPIN INJECTION
ZNSE/ZN1-XMNXSE HETEROSTRUCTURE
POLARIZED TRANSPORT
QUANTUM-WELLS
SCATTERING
INTERFACE
DEVICE
Microstructure of a-SiOx : H
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
a-SiOx : H
microstructure
bonding configuration
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
ELECTRONIC-PROPERTIES
SIO2/SI INTERFACE
OXYGEN
FILMS
VIBRATIONS
ALLOYS
SYSTEM
Magnetic property and interface structure of Ta/NiO/NiFe/Ta
期刊论文
chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 438-440
Yu GH
;
Chai CL
;
Zhu FW
;
Xiao JM
收藏
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浏览/下载:94/5
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提交时间:2010/08/12
NiO
interface reaction
X-ray photoelectron spectroscopy
exchange coupling
NIO
FILMS
LAYERS
In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) GaAs/Al(Ga)As superlattices and quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:87/9
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提交时间:2010/08/12
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
DIFFERENCE SPECTROSCOPY
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
INTERFACE
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
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浏览/下载:127/15
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提交时间:2010/08/12
LIGHT-EMITTING DIODES
GALLIUM NITRIDE
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON
PHOTOLUMINESCENCE
EPILAYERS
VACANCIES
INTERFACE
MECHANISM
ENERGY
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 2271-2273
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
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浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/08/12
REFLECTANCE DIFFERENCE SPECTROSCOPY
ZNSE/GAAS INTERFACE
STATES
GAAS
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