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上海微系统与信息技术... [6]
内容类型
期刊论文 [6]
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2012 [4]
2011 [2]
学科主题
Engineerin... [6]
Electrical... [1]
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Experimental Demonstration of the High-Performance Floating-Body/Gate DRAM Cell for Embedded Memories
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 743-745
Wu, QQ
;
Chen, J
;
Lu, ZC
;
Zhou, ZM
;
Luo, JX
;
Chai, Z
;
Yu, T
;
Qiu, C
;
Li, L
;
Pang, A
;
Wang, X
;
Fossum, JG
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/17
Capacitorless DRAM
overlap
SOI floating-body cell (FBC)
tunneling field-effect transistor (T-FET)
underlap
TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2012, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 652-653
Luo, JX
;
Chen, J
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Yu, T
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/04/17
TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2012, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 652-653
Luo, JX
;
Chen, J
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Yu, T
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Electrical & Electronic
Experimental Demonstration of the High-Performance Floating-Body/Gate DRAM Cell for Embedded Memories
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 743-745
Wu, QQ
;
Chen, J
;
Lu, ZC
;
Zhou, ZM
;
Luo, JX
;
Chai, Z
;
Yu, T
;
Qiu, C
;
Li, L
;
Pang, A
;
Wang, X
;
Fossum, JG
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Electrical & Electronic
A Tunnel Diode Body Contact Structure to Suppress the Floating-Body Effect in Partially Depleted SOI MOSFETs
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 1346-1348
Chen,J
;
Luo,JX
;
Wu,QQ
;
Chai,Z
;
Yu,T
;
Dong,YJ
;
Wang,X
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
A Tunnel Diode Body Contact Structure to Suppress the Floating-Body Effect in Partially Depleted SOI MOSFETs
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 1346-1348
Chen, J
;
Luo, JX
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Yu, T
;
Dong, YJ
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Electrical & Electronic
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