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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Exciton–phonon interaction in Al0.4Ga0.6N/Al0.53Ga0.47N multiple quantum wells 期刊论文 Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 1 Ya-Li Liu; Peng Jin; Gui-Peng Liu; Wei-Ying Wang; Zhi-Qiang Qi; Chang-Qing Chen; Zhan-Guo Wang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/10 Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells 期刊论文 chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 117803 Wang Wei-Ying; Liu Gui-Peng; Jin Peng; Mao De-Feng; Li Wei; Wang Zhan-Guo; Tian Wu; Chen Chang-Qing 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/03/20 Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101 Cao YL (Cao Yu-Lian); Yang T (Yang Tao); Xu PF (Xu Peng-Fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Gu YX (Gu Yong-Xian); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Wang Q (Wang Qing); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：221/51  |  提交时间：2010/05/24 excited states  gallium arsenide  III-V semiconductors  indium compounds  laser tuning  optical films  quantum dot lasers  silicon compounds  tantalum compounds  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD  PERFORMANCE  GAIN   Properties of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonids 期刊论文 rare metals, 1998, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 161 彭瑞伍; 丁永庆; 徐晨梅; 王占国 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23