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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2003 [1]
1995 [1]
学科主题
光电子学 [4]
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学科主题:光电子学
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Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity
期刊论文
applied physics express, 2010, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: art. no. 072001
Huang ZL (Huang Zengli)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Liu ZH (Liu Zhenghui)
;
Xu K (Xu Ke)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Cao B (Cao Bing)
;
Han Q (Han Qin)
;
Zhang GJ (Zhang Guiju)
;
Wang CH (Wang Chinhua)
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/17
LIGHT-EMITTING-DIODES
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Li Y
;
Chen P
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
InN
dislocation
carrier origination
localization
Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodetectors (RCE-PD) for application in optical fiber communication network
会议论文
6th chinese optoelectronics symposium, kowloon, peoples r china, sep 12-14, 2003
Wang QM
;
Li C
;
Cheng BW
;
Yang QQ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
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浏览/下载:24/2
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提交时间:2010/10/29
PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURE INTERFACES
期刊论文
acta physica sinica-overseas edition, 1995, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 523-530
YUAN ZL
;
XU ZY
;
XU JZ
;
ZHENG BZ
;
LUO CP
;
YANG XP
;
ZHANG PH
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
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